Toshiba Electronics Europe a mis en service un nouveau laboratoire haute tension sur son site de Düsseldorf. Une attention particulière est portée aux semi-conducteurs à large bande interdite tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN).
Selon Toshiba, les clients recevront des services sur site tels que des simulations de conceptions importantes d’électronique de puissance ou la conception de modèles de référence pour les alimentations, les onduleurs et les systèmes de charge pour les véhicules électriques. Le laboratoire d’électronique de puissance est conforme aux réglementations allemandes telles que VDE0100 et peut effectuer des tests/mesures jusqu’à 1 500 VDC et 1 000 VAC.
Les semi-conducteurs au carbure de silicium sont déjà utilisés dans les premières voitures électriques. Dans l’électronique de puissance de l’entraînement électrique, par exemple, ils raccourcissent les temps de commutation et fonctionnent plus efficacement. Cela augmente non seulement l’efficacité, mais produit également moins de chaleur perdue – c’est pourquoi un système de refroidissement plus petit et plus léger peut être installé, ce qui réduit encore les besoins énergétiques de l’ensemble du système.
Il en va de même pour le nitrure de gallium. Les transistors GaN peuvent être plus petits et plus efficaces. Le…
Source : www.electrive.net
#Toshiba #ouvre #laboratoire #haute #tension #pour #les #semiconducteurs #electrivecom
